Skip to content

CAS Latency in RAM لتنسی چیست؟

۱۲ آبان ۱۴۰۰

 لتنسی و نقش آن در عملکرد سیستم چیست؟

CAS Latency in RAM لتنسی چیست؟

هنگام خرید رم ، لیست هایی را برای زمان بندی آنها مشاهده می کنید ، مانند CL16-18-18-38 یا CL14-14-14-34 یا CL 16-18-18-36. این عدد پس از "CL" نشانگر تأخیر CAS کیت RAM است که گاهی اوقات CL نامیده می شود. اما واقعاً تأخیر CAS چیست؟ و تأخیر CAS کیت RAM برای عملکرد آن چیست؟

بسیاری از کاربران معتقدند که CAS Latency یک شاخص دقیق از عملکرد تأخیردر دنیای واقعی است. بسیاری از کاربران همچنین بر این باورند که به دلیل افزایش CAS Latency با افزایش سرعت ، برخی از سرعت ها خنثی می شوند. مهندسان می دانند که زمان CAS Latency  یک شاخص نادرست از عملکرد است.زمان تأخیر در بهترین حالت در نانو ثانیه است که ترکیبی از سرعت و  CAS Latency است. افزایش سرعت و کاهش زمان تأخیر منجر به عملکرد بهتر سیستم می شود.

مثال: از آنجا که تأخیر در نانو ثانیه برای DDR4-2400 CL17 و DDR4-2666 CL19 تقریباً یکسان است ، سرعت بالاتر DDR4-2666 RAM عملکرد بهتری را ارائه می دهد.

مثال: اگر امتیاز سرعت یک ماژول استاندارد و یک ماژول بازی یکسان باشد (یعنی DDR4-2666) اما زمان تاخیر CAS متفاوت است (یعنی CL16 در مقابل CL19) ، پس زمان تاخیر در رم عملکرد بهتری خواهد داشت.

 

  

تایمینگ رم چیست؟

سرعت رم شما از طریق نرم افزارهایی مانند CPU-Z یا در BIOS / UEFI در جعبه یا ماژول قابل مشاهده است. نام کامل ماژول RAM شما چیزی شبیه به موارد زیر خواهد بود:

DDR4 3200 (PC4 25600)

DDR4 نسل DDR را توصیف می کند که تراشه با آن سازگار است. همان شماره (2 ، 3 یا 4) در شماره PC ظاهر می شود و همین موضوع را توصیف می کند. گفته می شود که اولین شماره چهار رقمی 3200 در مثال ما ، سرعت ساعت RAM را در مگاهرتز نشان می دهد. این در واقع کمی بازاریابی است ، اما احساس بدی نکنید. این عدد در واقع نرخ داده را گزارش می کند ، اندازه گیری در megatransfer در ثانیه یا 106 عملیات انتقال داده در ثانیه.

در DDR RAM ، سرعت واقعی ساعت نیمی از نرخ داده است - 1600 مگاهرتز ، در مثال ما ، اگرچه حتی از سرعت داخلی رم 400 مگاهرتز از طریق بیت های چند مرحله ای قبل از گرفتن نیز افزایش می یابد. اما از آنجا که DDR داده ها را به ازای هر تیک ساعت دو بار منتقل می کند ، می توان گفت سرعت موثر ساعت دو برابر سرعت واقعی ساعت است. در نتیجه ، سرعت داده همانند سرعت ساعت آشکار رم در مگاهرتز مؤثر است.

در مثال ما 25600 ، میزان انتقال در مگابایت در ثانیه (مگابایت در ثانیه) را نشان می دهد.

3200 megatransfers per second x 64 bits per transfer/8 bits per byte = 25600 MB/s

هر شماره به طور مستقل به شما می گوید سرعت رم چقدر سریع است. اما هر دو شماره ، دقیقاً به اشکال مختلف ، اطلاعات یکسانی را ارائه می دهند.

 تایمینگ رم دسترسی عملکرد حافظه تصادفی پویا همزمان را (SDRAM) با استفاده از چهار پارامتر را شرح می دهد: CL ، TRCD ، TRP و TRAS در واحدهای چرخه ساعت. آنها معمولاً به صورت چهار عدد با خط های جدا شده نوشته می شوند ، به عنوان مثال 7-8-8-24.اعداد کمتر معمولاً نشان دهنده عملکرد سریعتر است.

CL Timings چیست؟

CL Timings زمان پاسخگویی حافظه به CPU ، زمان تاخیر (CAS (CL است. اما CL را نمی توان به تنهایی در نظر گرفت. این فرمول زمان CL را به نانو ثانیه تبدیل می کند ، که براساس نرخ انتقال RAM است:

(CL/Transfer Rate) x 2000

در نتیجه ، در صورت داشتن CL کوتاه تر ، رم آهسته تر می تواند تاخیر واقعی داشته باشد.

TRCD

ماژول های RAM برای پرداختن به آدرس از یک طراحی مبتنی بر شبکه استفاده می کنند. تقاطع ردیف ها و شماره ستون ها نشانگر یک آدرس حافظه خاص است. آدرس ردیف تا تأخیر آدرس ستون (TRCD) حداقل تأخیر را بین وارد کردن یک ردیف جدید در حافظه و شروع به دسترسی به ستون های درون آن اندازه گیری می کند. شما می توانید به عنوان زمانی که RAM برای رسیدن به "آدرس" به آن فکر می کند ، فکر کنید. زمان دریافت بیت اول از یک ردیف که قبلاً غیرفعال است ، TRCD + CL است.

TRP

Row Precharge Time  مدت زمان تأخیر در باز کردن یک ردیف جدید در حافظه را اندازه گیری می کند. از نظر فنی ، تأخیر بین صدور فرمان precharge برای خالی بودن (یا بستن) یک ردیف و یک دستور فعال سازی برای باز کردن یک ردیف متفاوت را اندازه گیری می کند. این اغلب با شماره دوم یکسان است. همین عوامل تأخیر هر دو عملیات را تحت تأثیر قرار می دهد.

 TRAS

Row Active Time (TRAS) مقدار حداقل چرخه هایی را که یک ردیف باید اندازه بگیرد ، برای نوشتن اطلاعات صحیح نشان می‌دهد. از نظر فنی ، تأخیر بین یک دستور فعال در یک ردیف و صدور فرمان preload در همان ردیف یا حداقل زمان بین باز و بسته کردن ردیف را اندازه گیری می کند. برای ماژول های SDRAM ، TRCD + CL TRAS را محاسبه می کند.

در نتیجه: این تأخیرها سرعت رم شما را محدود می کنند. اما مشخصات رم حد و مرز را تعیین می کند ، نه فیزیک. کنترل کننده حافظه که RAM شما را مدیریت می کند ، این زمانبندی ها را اعمال می کند ، به این معنی که قابل تغییر هستند (اگر مادربرد اجازه این کار را داد). شما ممکن است با اورکلاک و سفت کردن زمان بندی توسط دو چرخه ، عملکرد متفاوتی  از RAM خود بدست آورید. اورکلاک رم معتدل ترین تکنیک های اورکلاک سخت افزاری است که به بیشترین آزمایش نیاز دارد. اما RAM سریعتر زمان پردازش را برای بارهای کاری محدود با RAM کوتاه می کند و باعث افزایش سرعت رندر و پاسخگویی دستگاه مجازی می شود.

تفاوت بین سرعت RAM و CAS Latency

عملکرد حافظه (DRAM) در رابطه بین سرعت و تأخیر است. این دو به هم نزدیک هستند ، در حالی که ممکن است فکر کنید با یکدیگر ارتباط ندارند. در اینجا چگونگی ارتباط سرعت و تأخیر در سطح فنی آورده شده است - و چگونگی استفاده از این اطلاعات برای بهینه سازی عملکرد حافظه بیان خواهد شد.

 

  

تأخیر اغلب به اشتباه درک می شود زیرا در پروانه های محصول و مقایسه های خاص ، در (CAS Latency (CL ذکر شده است که فقط نیمی از معادلات تأخیر است. از آنجا که رتبه بندی های CL تنها تعداد کل چرخه ساعت ها را نشان می دهد ، هیچ ارتباطی با مدت زمان هر چرخه ساعت ندارند و بنابراین ، آنها نباید به عنوان تنها نشانگر عملکرد تأخیر درنظر گرفته شوند. با نگاهی به تأخیر ماژول از نظر نانو ثانیه ، می توانید به بهترین وجه داوری کنید اگر یک ماژول در واقع بیشتر از دیگری پاسخگو باشد. برای محاسبه تأخیر ماژول ، مدت زمان چرخه ساعت را با تعداد کل چرخه ساعت ضرب کنید. این اعداد در اسناد رسمی مهندسی سیستم، در برگه اطلاعات ماژول ذکر خواهد شد.

CAS Latency in RAM لتنسی چیست؟ و معادله تأخیر چگونه بیان می‌شود؟

در سطح پایه ، لتنسی به تأخیر زمانی بین ورود یک فرمان و زمان دسترسی به داده ها اشاره دارد. تأخیر فاصله بین این دو واقعه است. هنگامی که کنترلر حافظه به حافظه می گوید برای دسترسی به یک مکان خاص ، داده ها باید برای رسیدن به محل مورد نظر خود و تکمیل دستور ، تعدادی چرخه ساعت را در (Column Address Strobe (CAS طی کنند. با این حساب ، دو متغیر وجود دارد که تأخیر ماژول را تعیین می کند:

۱- اعداد چرخه های ساعت که داده ها باید طی شوند (اندازه گیری شده در CAS Latency یا CL ، روی برگه های داده)

۲- مدت زمان هر چرخه ساعت (اندازه گیری شده در نانو ثانیه)

ترکیب این دو متغیر معادله تأخیر را به ما می دهد:

تأخیر (ns) = زمان چرخه ساعت ns)  x) تعداد چرخه ساعت

در تاریخچه فن آوری حافظه ، با افزایش سرعت ، (به این معنی که زمان چرخه ساعت کاهش یافته است) ، مقادیر تأخیر CAS نیز افزایش یافته است ، اما به دلیل چرخه ساعت سریعتر ، زمان تاخیر واقعی که در نانو ثانیه ها اندازه گیری می شود تقریباً یکسان است. با بهینه سازی تعادل بین حداکثر سرعت پردازنده شما و کمترین تأخیر در حافظه موجود می توانید با استفاده از حافظه های جدیدتر ، سریعتر و کارآمد تر به عملکرد بالاتری برسید.

کدام مهمتر است: سرعت یا CAS Latency in RAM ؟

بر اساس آنالیز مهندسی عمیق و آزمایش گسترده در آزمایشگاه عملکرد بسیار مهم ، پاسخ به این سؤال کلاسیک هردو است! سرعت و تأخیر هر دو نقش اساسی در عملکرد سیستم دارند ، بنابراین هنگام جستجو برای ارتقاء توصیه می کنیم:

مرحله ۱: بالاترین سرعت حافظه پشتیبانی شده توسط پردازنده و مادربرد (از جمله پروفایل های اورکلاک) را شناسایی کنید.

مرحله ۲: کمترین حافظه تأخیر را که با بودجه شما متناسب است با آن سرعت انتخاب کنید ، به خاطر داشته باشید که یک تأخیر برتر (یعنی پایین تر) به معنای عملکرد سیستم برتر است.

امیدواریم مقاله CAS Latency in RAM لتنسی چیست؟ مورد توجه شما کاربران گرامی قرار گرفته باشد.